Micron разрабатывает 128 ГБ модули RDIMM на основе монолитных чипов DRAM объёмом 32 Гб
Компания Micron объявила о разработке модулей DDR5 RDIMM объёмом 128 ГБ. Эти модули создаются на основе монолитных 32 Гб ядер DRAM и предназначены для растущих потребностей центров обработки данных, включая искусственный интеллект и базы данных в памяти.
Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.
Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.